Anasayfa  »  Mühendislik Fakültesi »  Elektrik-Elektronik Mühendisliği Programı (%30 İngilizce)

DERS ADIDERS KODUYARIYILTEORİ + UYGULAMA (Saat)AKTS
ELEKTRONİK I EEM214 Dördüncü Yarıyıl (Bahar) 3 + 3 7

DERSİN TÜRÜZorunlu
DERSİN DÜZEYİLisans
DERSİN YILI2
YARIYILDördüncü Yarıyıl (Bahar)
AKTS7
ÖĞRETİM ELEMAN(LAR)IDoktor Öğretim Üyesi Yaşar Nuri Sevgen
Doktor Öğretim Üyesi Gülşah Demirhan Aydın
DERSİN ÖĞRENME KAZANIMLARI Bu dersin sonunda öğrenciler;
1) Doğrultucu ve zener diyotların çalışma karekteristiklerini öğrenir ve ilgili devreleri çözümler.
2) BJT transistörün özelliklerini, çalışma koşullarını tespit eder ve BJT devrelerinin DC çözümlemelerini yapar.
3) BJT transistörün ac eşdeğerini kullanarak, BJT yükselteç devrelerini analiz eder ve giriş-çıkış dirençlerini, akım-gerilim kazançlarını hesaplar.
4) FET (JFET, MOSFET) transistörün özelliklerini, çalışma koşullarını tespit eder ve FET devrelerinin DC çözümlemelerini yapar.
5) FET?Llerin ac eşdeğerini kullanarak, FET'li yükselteç devrelerinin analizini yapar ve giriş-çıkış dirençlerini, akım-gerilim kazançlarını hesaplar.
6) BJT ve FET transistörlü devreleri istenen DC/AC çalışma koşullarına uygun olarak tasarlar.
7) Deneylerle kuramsal bilgilerini pekiştirir.
8) Deneylerle bireysel çalışma becerisi kazanır.
9) Ödevlerle mesleki standartları öğrenir ve etik bilinci kazanır.
DERSİN VERİLİŞ BİÇİMİYüz Yüze
DERSİN ÖNKOŞULLARIVar( EEM201)
ÖNERİLEN DERSLERMAT151, MAT152, MAT210
DERS TANIMIAtomun yapısı, yarıiletken maddeler, P ve N tipi madde, Diyotlar, diyot uygulamaları, Zener diyot, Temel düzengeç devreleri, Diğer diyot çeşitleri, BJT transistörlerin yapısı, özellikleri, CE, CB, CC yükselteç devreleri ve öneğilimleme, BJT transistörlerde küçük sinyal modeli, kazanç, giriş-çıkış empedansları, FET türleri, yapıları, özellikleri, FET yükselteç devreleri ve öneğilimleme, FET transistörlerde küçük sinyal modeli, kazanç, giriş-çıkış empedansları, Mikroelektronik yaklaşımla yükselteç devreleri, Akım kaynak devreleri ve transistörleri akım kaynaklarıyla öneğilimleme, İşlemsel yükselteç iç yapısı.
DERS İÇERİĞİ
HAFTAKONULAR
1. Hafta Atomun yapısı, yarıiletken maddeler, P ve N tipi madde
2. Hafta Diyotlar, diyot uygulamaları
3. Hafta Diyot uygulamaları, temel düzengeç devreleri
4. Hafta Zener diyotlar ve uygulamaları
5. Hafta BJT transistörlerin yapısı, özellikleri
6. Hafta CE, CB, CC yükselteç devreleri ve öneğilimleme
7. Hafta FET türleri, yapıları, özellikleri, FET yükselteç devrele i ve öneğilimleme
8. Hafta Arasınav
9. Hafta BJT transistörlerde küçük sinyal modeli, kazanç, giriş-çıkış empedansları
10. Hafta BJT transistörlerde küçük sinyal modeli, kazanç, giriş-çıkış empedansları
11. Hafta FET transistörlerde küçük sinyal modeli, kazanç, giriş-çıkış empedansları
12. Hafta FET transistörlerde küçük sinyal modeli, kazanç, giriş-çıkış empedansları
13. Hafta Çok katlı yükselteçler
14. Hafta Çok katlı yükselteçler
ZORUNLU YA DA ÖNERİLEN KAYNAKLAR1. Microelectronic Circuits, Sedra & Smith; Oxford University Press.
2. Microelectronic Circuit Design 3rd ed., R.C. Jaeger, Mc GrawHill Pub.
ÖĞRETİM YÖNTEM VE TEKNİKLERİAnlatım,Soru-Cevap,Sorun/Problem Çözme,Deney,Rapor Hazırlama
DEĞERLENDİRME YÖNTEMİ VE GEÇME KRİTERLERİ
 SayısıToplam Katkısı(%)
Ara Sınav125
Ödev310
Mini-Sınav515
Uygulama/Pratik1015
Toplam(%)65
Yıl İçinin Başarıya Oranı(%)65
Finalin Başarıya Oranı(%)35
Toplam(%)100
AKTS İŞ YÜKÜ
Aktivite Sayı Süresi(Saat) İş Yükü
Ara Sınav122
Kısa Sınavlara hazırlık248
Sınıf Dışı Ders Çalışma Süresi13452
Final Sınavına Hazırlık11515
Ders Saati14456
Ara Sınava Hazırlık11010
Laboratuvar155
Final Sınavı122
Ödevler41560
Toplam İş Yükü210
Toplam İş Yükü / 307
Dersin AKTS Kredisi7
DİLTürkçe
STAJ / UYGULAMAYok
  

PROGRAM YETERLİLİKLERİ (P) / DERSİN ÖĞRENME KAZANIMLARI (Ö) MATRİSİ
Ö1Ö2Ö3Ö4Ö5Ö6Ö7Ö8Ö9
P1  X   X   X   X   X   X      
P2  X   X   X   X   X   X      
P3  X   X   X   X   X   X      
P4                 
P5              X    
P6                X  
P7              X   X  
P8  X   X     X           X
P9                  X
P10                 
P11